Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics OSD, IR, λ sensibilidad máx. 550nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
OSI OptoelectronicsEspectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
550nm
Encapsulado
TO-18
Función de amplificador
No
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Número de Pines
1
Material del Diodo
Si
Altura
0.2plg
Diámetro
5.33mm
Series
OSD
Polarity
Reverse
País de Origen
Malaysia
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