Transistor Darlington, PZTA28, NPN 800 mA, 80 V, HFE:10000, SOT-223, 3 + Tab pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
800 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
10000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2 V
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
500nA
Altura
1.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones
6.5 x 3.56 x 1.6mm
Profundidad
3.56mm
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Longitud:
6.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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€ 108,09
€ 0,216 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
500
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,216 | € 10,81 |
| 1000+ | € 0,187 | € 9,36 |
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80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
10000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2 V
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
500nA
Altura
1.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones
6.5 x 3.56 x 1.6mm
Profundidad
3.56mm
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Longitud:
6.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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