Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-800 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
-60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 60 V a 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 55,15
€ 0,055 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
1000
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Tensión Máxima Colector-Emisor
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
-60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 60 V a 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.