Par Darlington, NZT605, NPN 1,5 A, 110 V, HFE:200, SOT-223, 3 + Tab pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
110 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.8 V
Tensión Base Máxima del Colector
140 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10nA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Altura
1.6mm
Profundidad
3.5mm
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Datos del producto
Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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4000
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Tensión Máxima Emisor-Base
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Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
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1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.8 V
Tensión Base Máxima del Colector
140 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10nA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Altura
1.6mm
Profundidad
3.5mm
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1 W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones
6.5 x 3.5 x 1.6mm
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