MOSFET onsemi NVTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 172-3379Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVTFS6H850NTAG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

68 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Series

NVTFS6H850N

Tipo de Encapsulado

WDFN

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

107000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

3.15mm

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Estándar de automoción

AEC-Q101

Altura

0.75mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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€ 17,13

€ 0,685 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NVTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

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Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25€ 17,13
50€ 34,26
75€ 51,39
100€ 59,13
125€ 73,92
150€ 88,70
175€ 103,49
200€ 118,27
225€ 133,05
250€ 127,89
275€ 140,68
300€ 153,47
325€ 166,26
350€ 179,05
375€ 191,83

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
25 - 75€ 0,685€ 17,13
100 - 225€ 0,591€ 14,78
250+€ 0,512€ 12,79

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WDFN

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9.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

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