Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
21000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.15mm
Longitud:
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.8mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Malaysia
$ 7,42
$ 0,742 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
$ 7,42
$ 0,742 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 0,742 | $ 7,42 |
100 - 240 | $ 0,639 | $ 6,40 |
250 - 490 | $ 0,555 | $ 5,55 |
500 - 990 | $ 0,487 | $ 4,88 |
1000+ | $ 0,444 | $ 4,44 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
21000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.15mm
Longitud:
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.8mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Malaysia