Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
316 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5mm
Longitud:
5.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
86 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
€ 7.188,12
€ 2,396 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
316 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5mm
Longitud:
5.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
86 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm
Estándar de automoción
AEC-Q101