MOSFET onsemi NVMFS5C604NLAFT1G, VDSS 60 V, ID 287 A, DFN de 4 + Tab pines, , config. Simple

Código de producto RS: 141-3193Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVMFS5C604NLAFT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

287 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

NVMFS5C604NL

Tipo de Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

200 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

6.1mm

Longitud

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

120 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.05mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 5,62

€ 5,62 Each (Sin IVA)

MOSFET onsemi NVMFS5C604NLAFT1G, VDSS 60 V, ID 287 A, DFN de 4 + Tab pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 5,62
2€ 11,24
3€ 16,86
4€ 22,48
5€ 28,10
6€ 33,72
7€ 39,34
8€ 44,96
9€ 50,58
10€ 48,47
11€ 53,32
12€ 58,17
13€ 63,01
14€ 67,86
15€ 72,71

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9€ 5,62
10 - 99€ 4,85
100 - 499€ 4,20
500 - 999€ 3,69
1000+€ 3,36

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N

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Tipo de Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

200 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

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Longitud

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Tensión de diodo directa

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Mínima Temperatura de Funcionamiento

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