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MOSFET onsemi NVMFS5C404NLWFAFT1G, VDSS 40 V, ID 370 A, DFN de 4 + Tab pines, , config. Simple

Código de producto RS: 141-2979Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVMFS5C404NLWFAFT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

370 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

NVMFS5C404NL

Tipo de Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

4 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

200 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

6.1mm

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Longitud

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

181 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.05mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

NVMFS5C404NL

Tipo de Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

4 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

200 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

6.1mm

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Longitud

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

181 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.05mm

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