Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
370 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Series
NVMFS5C404NL
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.1mm
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
181 nC a 10 V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.05mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 3.046,82
€ 2,031 Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
€ 3.046,82
€ 2,031 Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
1500
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
370 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Series
NVMFS5C404NL
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.1mm
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
181 nC a 10 V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.05mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto