MOSFET onsemi NVD5C668NLT4G, VDSS 60 V, ID 49 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
49 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
NVD5C668NL
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
44000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.22mm
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,7 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.38mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 94,57
€ 1,891 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
€ 94,57
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Empaque de Producción (Rollo)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,891 | € 9,46 |
| 100 - 495 | € 1,64 | € 8,20 |
| 500 - 995 | € 1,441 | € 7,20 |
| 1000+ | € 1,312 | € 6,56 |
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N
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49 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
NVD5C668NL
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
44000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.22mm
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,7 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.38mm
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