Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
83 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
56000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.22mm
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
2.25mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Vietnam
€ 13,33
€ 1,333 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
€ 13,33
€ 1,333 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,333 | € 13,33 |
100 - 240 | € 1,149 | € 11,49 |
250+ | € 0,996 | € 9,96 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
83 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
56000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.22mm
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
2.25mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Vietnam