Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
83 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
56000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.22mm
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.25mm
País de Origen
Vietnam
€ 2.173,40
€ 0,869 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Información de stock no disponible temporalmente.
2500
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onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
83 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
56000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.22mm
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.25mm
País de Origen
Vietnam