MOSFET onsemi NVD5C434NT4G, VDSS 40 V, ID 163 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
163 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
NVD5C434N
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.22mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80,6 nC a 10 V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.38mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 6,47
€ 3,233 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
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2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,233 | € 6,46 |
| 20 - 198 | € 2,787 | € 5,57 |
| 200 - 998 | € 2,419 | € 4,84 |
| 1000+ | € 2,121 | € 4,24 |
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Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
NVD5C434N
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.22mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80,6 nC a 10 V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Tensión de diodo directa
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