Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
163 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NVD5C434N
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.22mm
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80,6 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.38mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 5,21
€ 2,607 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
€ 5,21
€ 2,607 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 18 | € 2,607 | € 5,21 |
20 - 198 | € 2,248 | € 4,50 |
200 - 998 | € 1,948 | € 3,90 |
1000+ | € 1,711 | € 3,42 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
163 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NVD5C434N
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.22mm
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80,6 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.38mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto