MOSFET onsemi NVD5C434NT4G, VDSS 40 V, ID 163 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
163 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NVD5C434N
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.22mm
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80,6 nC a 10 V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.38mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 3.930,40
€ 1,572 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
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Profundidad
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Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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