Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Mínima de Ruptura
13.7V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN8
Tensión de Corte Inversa Máxima
12V
Conteo de Pines
8
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.36W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Dimensiones
2 x 2 x 0.95mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Capacidad
66pF
Longitud
2mm
Altura
0.95mm
Profundidad
2mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
Filtro EMI con protección contra descargas electroestáticas, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
€ 14,11
€ 0,565 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
25
€ 14,11
€ 0,565 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,565 | € 14,11 |
125+ | € 0,553 | € 13,82 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Mínima de Ruptura
13.7V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN8
Tensión de Corte Inversa Máxima
12V
Conteo de Pines
8
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.36W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Dimensiones
2 x 2 x 0.95mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Capacidad
66pF
Longitud
2mm
Altura
0.95mm
Profundidad
2mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto