Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Mínima de Ruptura
13.7V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN8
Tensión de Corte Inversa Máxima
12V
Conteo de Pines
8
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.36W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Dimensiones del Cuerpo
2 x 2 x 0.95mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Capacidad
66pF
Longitud:
2mm
Altura
0.95mm
Ancho
2mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
Filtro EMI con protección contra descargas electroestáticas, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
€ 14,17
€ 0,567 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
25
€ 14,17
€ 0,567 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,567 | € 14,17 |
125+ | € 0,555 | € 13,87 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Mínima de Ruptura
13.7V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN8
Tensión de Corte Inversa Máxima
12V
Conteo de Pines
8
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.36W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Dimensiones del Cuerpo
2 x 2 x 0.95mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Capacidad
66pF
Longitud:
2mm
Altura
0.95mm
Ancho
2mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto