Diodo de protección ESD Bidireccional, NUF2114MNT1G, 0.36W, DFN8, 8-Pines

Código de producto RS: 805-1918Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NUF2114MNT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Dirección

Bi-Directional

Configuración de diodo

Array

Tensión Mínima de Ruptura

13.7V

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

DFN8

Tensión de Corte Inversa Máxima

12V

Conteo de Pines

8

Disipación de Potencia de Pulso de Pico

0.36W

Protección ESD

Yes

Número de Elementos por Chip

4

Mínima Temperatura de Funcionamiento

–40 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Dimensiones del Cuerpo

2 x 2 x 0.95mm

Corriente de Fugas Inversa Máxima

100nA

Capacidad

66pF

Longitud:

2mm

Altura

0.95mm

Ancho

2mm

Corriente de Prueba

1mA

Datos del producto

Filtro EMI con protección contra descargas electroestáticas, ON Semiconductor

Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor

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€ 14,17

€ 0,567 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

Diodo de protección ESD Bidireccional, NUF2114MNT1G, 0.36W, DFN8, 8-Pines
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Cinta
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Tensión de Corte Inversa Máxima

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Conteo de Pines

8

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0.36W

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–40 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Dimensiones del Cuerpo

2 x 2 x 0.95mm

Corriente de Fugas Inversa Máxima

100nA

Capacidad

66pF

Longitud:

2mm

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