Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
280 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-963
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Largo
1.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
0.85mm
Altura
0.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
$ 12,77
$ 0,511 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
$ 12,77
$ 0,511 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
280 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-963
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Largo
1.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
0.85mm
Altura
0.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto