MOSFET onsemi NTUD3170NZT5G, VDSS 20 V, ID 280 mA, SOT-963 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
280 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-963
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud:
1.05mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
0.85mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.4mm
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 10,90
€ 0,436 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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4.5 Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
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Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
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