MOSFET onsemi NTS2101PT1G, VDSS 8 V, ID 1,5 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
8 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
210 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.35mm
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,4 nC a 5 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 8V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 339,86
€ 0,113 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Longitud:
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Si
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