MOSFET onsemi NTR4503NT1G, VDSS 30 V, ID 2,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
730 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,9 nC a 4,5 V, 3,6 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 6,02
€ 0,241 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Tipo de Encapsulado
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Conteo de Pines
3
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
730 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,9 nC a 4,5 V, 3,6 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
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