MOSFET onsemi NTR4171PT1G, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V, 7,4 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Modo de Canal
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Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
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15,6 nC a 10 V, 7,4 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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