MOSFET onsemi NTP6410ANG, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 802-4105Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTP6410ANG
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

76 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

188 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

15.75mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10.28mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

120 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.82mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Información de stock no disponible temporalmente.

€ 15,02

€ 3,004 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NTP6410ANG, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

€ 15,02

€ 3,004 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NTP6410ANG, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

76 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

188 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

15.75mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10.28mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

120 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.82mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more