MOSFET onsemi NTP6410ANG, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
76 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
188 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
15.75mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.28mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
120 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 15,02
€ 3,004 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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