MOSFET onsemi NTMYS5D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 71 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 195-2521Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTMYS5D3N04CTWG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

71 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.25mm

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

16 a 10 V nC

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.15mm

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$ 35,07

$ 1,403 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

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Producción -

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25

Disponible en múltiplos de 25
25$ 35,07
50$ 70,15
75$ 105,22
100$ 120,92
125$ 151,15
150$ 181,38
175$ 211,60
200$ 241,83
225$ 272,06
250$ 262,21
275$ 288,43
300$ 314,65
325$ 340,87
350$ 367,09
375$ 393,31

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150$ 181,38
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225$ 272,06
250$ 262,21
275$ 288,43
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
25 - 75$ 1,403$ 35,07
100 - 225$ 1,209$ 30,23
250+$ 1,049$ 26,22

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Tipo de Canal

N

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71 A

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40 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de montaje

Montaje superficial

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4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.25mm

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

16 a 10 V nC

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