Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
533 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFNW8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
480 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
245 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
8mm
Longitud
8.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
187 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.15mm
$ 8,61
$ 4,306 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
$ 8,61
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
533 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFNW8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
480 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
245 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
8mm
Longitud
8.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
187 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.15mm