MOSFET onsemi NTMS4177PR2G, VDSS 30 V, ID 11,4 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 780-4723Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTMS4177PR2G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.5mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 6,22

€ 0,622 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NTMS4177PR2G, VDSS 30 V, ID 11,4 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 6,22
20€ 12,44
30€ 14,29
40€ 19,05
50€ 23,82
60€ 28,58
70€ 33,35
80€ 38,11
90€ 42,87
100€ 38,01
110€ 41,82
120€ 45,62
130€ 49,42
140€ 53,22
150€ 57,02

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
10 - 20€ 0,622€ 6,22
30 - 90€ 0,476€ 4,76
100 - 190€ 0,38€ 3,80
200 - 390€ 0,37€ 3,70
400+€ 0,361€ 3,61

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SOIC

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19 mΩ

Modo de Canal

Mejora

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2.5V

Disipación de Potencia Máxima

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Single

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4mm

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Si

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5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29 nC a 4,5 V

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