MOSFET onsemi NTMFS5C673NLT1G, VDSS 60 V, ID 50 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 13,41
€ 0,67 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,67 | € 13,41 |
| 200 - 480 | € 0,578 | € 11,55 |
| 500+ | € 0,502 | € 10,03 |
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DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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