MOSFET onsemi NTMFS5C670NLT1G, VDSS 60 V, ID 71 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
71 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
61 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V, 9 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
1.95mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 6,80
€ 0,68 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,68 | € 6,80 |
| 100 - 240 | € 0,587 | € 5,87 |
| 250 - 490 | € 0,508 | € 5,08 |
| 500 - 990 | € 0,446 | € 4,46 |
| 1000+ | € 0,407 | € 4,07 |
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71 A
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60 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
61 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V, 9 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
1.95mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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