Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
89 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SO-8FL
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33,7 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 95,32
€ 1,906 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
€ 95,32
€ 1,906 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
50 - 95 | € 1,906 | € 9,53 |
100 - 495 | € 1,652 | € 8,26 |
500 - 995 | € 1,452 | € 7,26 |
1000+ | € 1,322 | € 6,61 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
89 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SO-8FL
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33,7 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto