MOSFET onsemi NTMFS5C430NT1G, VDSS 40 V, ID 185 A, DFN de 4 + Tab pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
185 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Series
NTMFS5C430N
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
106 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.1mm
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 839,68
€ 0,56 Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
€ 839,68
€ 0,56 Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
185 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Series
NTMFS5C430N
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
106 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.1mm
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products