MOSFET onsemi NTMFS4936NT1G, VDSS 30 V, ID 79 A, SO-8FL de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
79 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SO-8FL
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.1mm
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 450,86
€ 0,301 Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
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Mejora
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Disipación de Potencia Máxima
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Ancho
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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