MOSFET onsemi NTMFD5C674NLT1G, VDSS 60 V, ID 42 A, DFN de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
42 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
6.1mm
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,7 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
País de Origen
Malaysia
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€ 5,87
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10
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±20 V
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura Máxima de Operación
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