Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,9 nC a 4,5 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 0,085
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
$ 0,085
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
50 - 100 | $ 0,085 | $ 4,27 |
150 - 250 | $ 0,04 | $ 1,98 |
300 - 550 | $ 0,036 | $ 1,78 |
600 - 1150 | $ 0,034 | $ 1,72 |
1200+ | $ 0,034 | $ 1,72 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,9 nC a 4,5 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto