MOSFET onsemi NTJD4152PT1G, VDSS 20 V, ID 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
880 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 20,35
€ 0,203 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,203 | € 5,09 |
| 250 - 475 | € 0,177 | € 4,42 |
| 500 - 975 | € 0,155 | € 3,87 |
| 1000+ | € 0,141 | € 3,53 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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