MOSFET onsemi NTJD4152PT1G, VDSS 20 V, ID 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 780-0611Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTJD4152PT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

880 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,2 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 7,27

€ 0,291 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NTJD4152PT1G, VDSS 20 V, ID 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
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Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

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Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

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25€ 7,27
50€ 14,55
75€ 21,82
100€ 25,11
125€ 31,39
150€ 37,66
175€ 43,94
200€ 50,22
225€ 56,49
250€ 54,27
275€ 59,69
300€ 65,12
325€ 70,54
350€ 75,97
375€ 81,40

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
25 - 75€ 0,291€ 7,27
100 - 225€ 0,251€ 6,28
250 - 475€ 0,217€ 5,43
500 - 975€ 0,191€ 4,78
1000+€ 0,174€ 4,34

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Tipo de Encapsulado

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

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Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

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2

Longitud

2.2mm

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