MOSFET onsemi NTJD4001NT1G, VDSS 30 V, ID 250 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
250 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
2.72 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
1.35mm
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,9 nC a 5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 275,23
$ 0,092 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Modo de Canal
Mejora
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Disipación de Potencia Máxima
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-20 V, +20 V
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Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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