Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
46 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
337 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.82mm
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
98 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
20.82mm
País de Origen
China
€ 9,95
€ 9,95 Each (Sin IVA)
1
€ 9,95
€ 9,95 Each (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
1
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 9,95 |
10+ | € 8,58 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
46 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
337 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.82mm
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
98 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
20.82mm
País de Origen
China