MOSFET onsemi NTF2955T1G, VDSS 60 V, ID 2.6 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 688-9130PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTF2955T1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

185 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

2.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,3 nC a 10 V

Anchura

3.5mm

Altura

1.57mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
20 - 198€ 1,058€ 2,12
200+€ 0,918€ 1,84

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P

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SOT-223

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

185 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

2.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Material del transistor

Si

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1

Longitud:

6.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Anchura

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