MOSFET onsemi NTF2955T1G, VDSS 60 V, ID 2.6 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
185 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,3 nC a 10 V
Profundidad
3.5mm
Altura
1.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 21,51
€ 1,076 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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Empaque de Producción (Rollo)
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 20 - 198 | € 1,076 | € 2,15 |
| 200+ | € 0,933 | € 1,87 |
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
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Material del transistor
Si
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1
Longitud
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Temperatura máxima de funcionamiento
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