MOSFET onsemi NTD5867NLT4G, VDSS 60 V, ID 20 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 719-2901Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTD5867NLT4G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

36000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.73mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Anchura

6.22mm

Altura

2.38mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 4,66

$ 0,931 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NTD5867NLT4G, VDSS 60 V, ID 20 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 4,66
10$ 9,31
15$ 13,97
20$ 18,62
25$ 23,28
30$ 27,93
35$ 32,59
40$ 37,24
45$ 41,90
50$ 40,12
55$ 44,13
60$ 48,14
65$ 52,16
70$ 56,17
75$ 60,18

$ 4,66

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5

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45$ 41,90
50$ 40,12
55$ 44,13
60$ 48,14
65$ 52,16
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 45$ 0,931$ 4,66
50 - 95$ 0,802$ 4,01
100 - 495$ 0,696$ 3,48
500 - 995$ 0,611$ 3,05
1000+$ 0,556$ 2,78

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N

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20 A

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DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

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Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Material del transistor

Si

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1

Longitud:

6.73mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

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Anchura

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