MOSFET onsemi NTD3055L104T4G, VDSS 60 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 100-8063Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTD3055L104T4G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

104 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +15 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,4 nC a 5 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

6.22mm

Material del transistor

Si

Altura

2.38mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Czech Republic

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 1.115,98

$ 0,446 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

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N

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60 V

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DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

104 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +15 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,4 nC a 5 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

6.22mm

Material del transistor

Si

Altura

2.38mm

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