MOSFET onsemi NTD3055L104T4G, VDSS 60 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
104 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
48000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,4 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
6.22mm
Material del transistor
Si
Altura
2.38mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Czech Republic
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 952,57
€ 0,381 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Material del transistor
Si
Altura
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