MOSFET onsemi NTD3055-150T4G, VDSS 60 V, ID 9 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
28.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,1 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.22mm
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 12,27
€ 0,491 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Profundidad
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