Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
240 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.65mm
Profundidad
0.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 42,70
€ 0,085 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
500
€ 42,70
€ 0,085 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
500
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
500 - 900 | € 0,085 | € 8,54 |
1000+ | € 0,074 | € 7,39 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
240 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.65mm
Profundidad
0.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto