MOSFET onsemi NDT3055L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 671-1090Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NDT3055L
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 10 V

Anchura

3.56mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-65 °C

Altura

1.6mm

Datos del producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 5,53

$ 1,106 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NDT3055L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 5,53
10$ 11,06
15$ 16,60
20$ 22,13
25$ 27,66
30$ 33,19
35$ 38,72
40$ 44,26
45$ 49,79
50$ 47,65
55$ 52,42
60$ 57,18
65$ 61,95
70$ 66,71
75$ 71,48

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$ 1,106 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

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45$ 49,79
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55$ 52,42
60$ 57,18
65$ 61,95
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 45$ 1,106$ 5,53
50 - 95$ 0,953$ 4,76
100 - 495$ 0,827$ 4,14
500 - 995$ 0,726$ 3,63
1000+$ 0,663$ 3,31

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N

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Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Surface Mount

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

3 W

Configuración de transistor

Single

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Anchura

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Material del transistor

Si

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Largo

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

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Temperatura Mínima de Funcionamiento

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Altura

1.6mm

Datos del producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

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