MOSFET onsemi NDS352AP, VDSS 30 V, ID 900 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
900 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Series
NDS352AP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
20V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
2.92mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.94mm
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€ 387,19
€ 0,129 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión de umbral de puerta máxima
20V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
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