MOSFET onsemi NDC7001C, VDSS 60 V, ID 340 mA, 510 mA, SOT-23 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
340 mA, 510 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω, 10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
960 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 10 V, 1,6 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 3,68
€ 0,368 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,368 | € 3,68 |
| 100 - 240 | € 0,318 | € 3,18 |
| 250 - 490 | € 0,276 | € 2,76 |
| 500 - 990 | € 0,242 | € 2,42 |
| 1000+ | € 0,221 | € 2,21 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω, 10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
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Profundidad
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Si
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
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