Transistor Darlington, MMBTA28, NPN 800 mA, 80 V, HFE:10000, SOT-23, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
800 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
10000
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
100nA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Longitud
2.51mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Dimensiones
2.51 x 1.4 x 1.02mm
Profundidad
1.4mm
Altura
1.02mm
Datos del producto
Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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€ 13,25
€ 0,265 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,265 | € 13,25 |
| 500 - 950 | € 0,228 | € 11,41 |
| 1000+ | € 0,198 | € 9,92 |
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Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
10000
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
100nA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Longitud
2.51mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Dimensiones
2.51 x 1.4 x 1.02mm
Profundidad
1.4mm
Altura
1.02mm
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