Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
24 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
5pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Longitud:
3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.4mm
Altura
1.01mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 20,45
€ 0,205 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 20,45
€ 0,205 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,205 | € 2,04 |
250 - 490 | € 0,178 | € 1,78 |
500 - 990 | € 0,155 | € 1,56 |
1000+ | € 0,141 | € 1,41 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
24 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
5pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Longitud:
3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.4mm
Altura
1.01mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.