Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
24 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Altura
0.94mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Anchura
1.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 16,98
$ 0,34 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
$ 16,98
$ 0,34 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
50 - 95 | $ 0,34 | $ 1,70 |
100 - 495 | $ 0,296 | $ 1,48 |
500 - 995 | $ 0,26 | $ 1,30 |
1000+ | $ 0,236 | $ 1,18 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
24 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Altura
0.94mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Anchura
1.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.