Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 30mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
5pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 263,99
€ 0,088 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 30mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
5pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.