Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 1.5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 7,08
€ 0,283 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,283 | € 7,08 |
100 - 225 | € 0,245 | € 6,12 |
250 - 475 | € 0,212 | € 5,30 |
500 - 975 | € 0,186 | € 4,66 |
1000+ | € 0,17 | € 4,24 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 1.5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.