Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 1.5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Altura
0.93mm
Anchura
1.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 298,04
€ 0,099 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
€ 298,04
€ 0,099 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 1.5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Altura
0.93mm
Anchura
1.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.