Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Tensión Máxima Puerta-Drenador
25V dc
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Longitud
3.04mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 263,99
€ 0,088 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Tensión Máxima Puerta-Drenador
25V dc
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Longitud
3.04mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.